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制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 11.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 50 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 5 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

系列: SI4

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降时间: 12 ns

正向跨导 - 最小值: 23 S

产品类型: MOSFETs

上升时间: 8 ns

2500

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 45 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

零件号别名: SI4435DDY-GE3

单位重量: 750 mg

详情请联系：15019275130 张小姐（微信号同手机号）